英特爾、聯電合作進軍12奈米 集邦科技:降低投資成本

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三思而后言

聯電位於竹科總部。圖/聯合報系資料照

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英特爾(Intel)與聯電(2303)於昨(25)日正式宣佈合作開發12奈米制程平臺。研調機構集邦科技(TrendForce)認爲,此合作案藉由聯電提供多元化技術服務、英特爾提供現成工廠設施,採雙方共同營運。不僅幫助英特爾銜接由 IDM 轉換至晶圓代工的生意模式,增加製程調度彈性並獲取晶圓代工營運經驗。

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而聯電也不需負擔龐大的資本支出即可靈活運用 FinFET 產能,從成熟製程的競局中另謀生路,同時藉由共同營運英特爾美國廠區,間接拓展工廠國際分佈,分散地緣政治風險,此應爲雙贏局面。

集邦科技表示,爲減少廠務設施的額外投資成本,直接銜接現有設備機臺,並有效控制整體開發時程,故本次兩家業者針對12奈米 FinFET 製程的合作案,選擇以英特爾現有相近製程技術的位在亞利桑那州的錢德勒廠 Fab22/32爲初期合作廠區,轉換後產能維持原有規模,雙方共同持有。

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在此情況下,集邦科技預估,所產生的平均投資金額相較於購置全新機臺,可省下逾80%,僅包含設備機臺移裝機的廠務二次配管費,以及其相關小型附屬設備等支出。

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合作案宣佈後,聯電方面,在提供12奈米技術部分IP協作開發的同時,也會協助英特爾洽談晶圓代工生意。聯電不僅可利用現成 FinFET 產能而不需攤提龐大的投資成本,又可在中國廠成熟製程的激烈競局當中脫穎而出。英特爾方面,則以提供現有工廠設施,除了可獲得晶圓代工市場經驗,擴大製程彈性及多元性,亦可集中資源於3奈米、2奈米等更先進的製程開發。

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集邦科技預期,若後續合作順利,英特爾可能考慮未來再將1~2座1X奈米等級的 FinFET 廠區與聯電共同管理;推測相近製程的愛爾蘭 Fab24、奧勒岡 D1B/D1C 爲可能的候選廠區。

不過,做爲主要技術IP提供者的聯電,其14奈米自2017年至今尚未正式大規模量產,12奈米目前也仍在研發階段,預計2026下半年將進入量產;因此雙方的合作量產時程暫訂於2027年,FinFET 架構技術穩定性仍待觀察。

整體而言,集邦科技認爲,在成熟製程深耕多年的聯電,與擁有先進技術的英特爾共同合作下,雙方除了在10奈米等級製程獲得彼此需要的資源,未來在各自專精領域上是否會有更深入的合作值得關注。

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